根據(jù)《中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法》、《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》以及《關(guān)于印發(fā)﹤建設(shè)項目環(huán)境影響評價政府信息公開指南（試行）﹥的通知（環(huán)辦[2013]103號文件）》規(guī)定，受建設(shè)單位委托，由廣東華博士環(huán)保科技有限公司承擔(dān)高端半導(dǎo)體芯片掩模版研發(fā)中心項目環(huán)境影響評價工作，并進(jìn)行公示：

1. 項目名稱：高端半導(dǎo)體芯片掩模版研發(fā)中心項目

2. 建設(shè)地點(diǎn)：珠海市高新區(qū)金鼎片區(qū)金鼎中路東、金瑞二路北側(cè)

3. 建設(shè)單位：珠海市龍圖光罩科技有限公司

4. 委托時間：2023年4月17日

5. 項目概況：

   項目總投資3320萬元，主要從事65-130nm工藝節(jié)點(diǎn)芯片掩模版及其關(guān)鍵技術(shù)的研究，并開展掩模版制造技術(shù)的基礎(chǔ)與理論研究，進(jìn)一步提高公司的研發(fā)能力和自主創(chuàng)新能力。